拆解华为手机：中国半导体仅落后3年？（组图）

“比较一下这两张照片”，一张是2021年台积电量产的5纳米“KIRIN 9000”，另一张是2024年中芯国际量产的7纳米“KIRIN 9010”。“到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新，但推动了中国半导体产业的自主生产”……

台积电以5纳米量产的“KIRIN 9000”(2021年) ㊧和中芯国际以7纳米生产的“KIRIN 9010”(2024年)的处理器性能差距不大。(图由TechanaLye提供)

美国政府对中国华为启动事实上的出口禁令已有5年。美国政府一直在采取遏制中国芯片技术的措施。不过，实际效果很少被讨论。每年拆解100种产品电子产品的日本半导体调查企业TechanaLye(东京中央区)的社长清水洋治表示，中国芯片的实力已经达到比台积电(TSMC)落后3年的水平。

“比较一下这两张照片”，清水展示的是成为2024年4月上市的华为最新款智能手机“华为 Pura 70 Pro”大脑的应用处理器（AP）和截至2021年的高性能智能手机应用处理器的两张半导体电路图。

最新的应用处理器“KIRIN 9010”由华为旗下的海思半导体设计，由中国半导体代工企业中芯国际(SMIC)负责量产。而2021年的应用处理器“KIRIN 9000”由海思半导体设计，台积电负责量产。

美国政府的警惕对象中芯国际采用的是线路线宽为7纳米(纳米是10亿分之1米)的技术，而台积电当时采用5纳米的量产制程，向华为供应处理器。

一般来说，如果线路线宽变窄，半导体的处理性能就会提高，半导体面积则会变小。据称中芯国际以7纳米量产的芯片面积为118.4平方毫米，台积电的5纳米芯片则为107.8平方毫米，面积没有太大差异，处理性能也基本相同。

虽然在良品率上存在差距，但从出货的半导体芯片的性能来看，中芯国际的实力已追赶到比台积电落后3年。虽然线路线宽为7纳米，但可以发挥与台积电的5纳米相同的性能，因此可以分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。

拆解华为最新款智能手机“Pura 70 Pro”（图由TechanaLye提供）

Pura 70 Pro除了存储芯片和传感器之外，还搭载了支撑摄像头、电源、显示屏功能的共37个半导体。其中，海思半导体承担14个，其他中国企业承担18个，从中国以外的芯片来看，只有韩国SK海力士的DRAM、德国博世的运动传感器等5个。实际上，86%的半导体产自中国。

对于中国在本国生产如此广泛的半导体，清水洋治表示“事实上，美国的管制对象只是用于人工智能(AI)等的服务器用尖端半导体。只要不构成军事上的威胁，美国可能就会允许”。

半导体行业团体SEMI的数据显示，从2023年制造设备的各地区销售份额来看，中国占到34.4%，购买了韩国和台湾的约2倍的设备。虽然最尖端半导体制造设备的出口管制备受关注，但实际情况是，中国正在不断采购管制对象以外的设备，稳步磨练量产技术。

其中，中芯国际以7纳米制程发挥了与台积电5纳米相同的性能，这一事实影响巨大。随着把线路线宽缩小到极限的“微细化”的难度加大，在尖端领域的开发竞争中，台积电要想甩开中国大陆企业变得更加困难。

清水洋治详细分析了华为最新款智能手机，得出结论是：“到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新，但推动了中国半导体产业的自主生产”。

日本经济新闻（中文版：日经中文网）细川幸太郎