“杭州芯火壹号”HX001芯片发布 已申请一项国家发明专利
图片来源：杭州国家芯火
据悉，“杭州芯火壹号”HX001芯片的阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置，制备Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构，来有效地减少阻变器件的阻变参数的离散性。具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构的阻变器件不需要Forming操作，从而有效提高忆阻器的窗口，存储窗口可大于106，并减少了对器件的后端集成。同时，采用十字交叉阵列将单元面积做到40F2，大大提高了阻变器件的集成密度。
检测报告显示：HX001芯片的工作电压小于5V；所读取的忆阻器阻值窗口远大于106；在150℃环境下，分别在1s，30s，100s，300s，1000s，3000s时加约0.1V小电压对忆阻器进行数据保持特性测试，忆阻器均能保持电阻阻值稳定；根据模型外推忆阻器所存储的数据可在150℃环境温度下保持10年以上；忆阻器单元面积小于40F2。目前，已申请一项国家发明专利。
杭州国家芯火消息称，目前“HX001”芯片已经多家单位评测试用，用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场应用前景。（校对/若冰）
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