台积电公布2nm先进制程:终结FinFET晶体管 功耗降低30%
就纵向对比来看,2nm之于3nm的提升,似乎不如3nm之于5nm,包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数。
在微观结构上,N2采用纳米片电晶体(Nanosheet),取代FinFET(鳍式场效应晶体管),外界普遍认为,纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET(环绕栅极晶体管)。
台积电还表示,N2不仅有面向移动处理器的标准工艺,还会有针对高性能运算和小芯片(Chiplet)的整合方案。
时间节奏方面,N2将于2025年量产。
另外,根据台积电最新技术路线图,第一代3nm(N3)定于下半年量产,3nm也会比较长寿,后续还有N3E、N3P和N3X。
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